Технология полностью обедненного «кремния-на-изоляторе» (full-depleted silicon-on-insulator, FD-SOI) появилась довольно давно и за прошедшие годы стала одним из основных решений при создании полупроводниковых приборов с малой потребляемой мощностью. Более высокие сложность и стоимость по сравнению с традиционным монолитным КМОП-процессом ограничивали широкое применение FD-SOI, однако последние достижения в области данной технологии вновь оживили интерес к ее использованию.