EV Group: первая технология бесшаблонной литографии для массового производства

EV Group: первая технология бесшаблонной литографии  для массового производства

Выпуск 15(6689) от 01 августа 2019 г.
РУБРИКА: МEMS/NEMS

Идея создания методики литографии, не требующей шаблонов, обсуждалась давно. Отсутствие шаблонов и промежуточных шаблонов существенно снижает как накладные расходы, так и стоимость владения. Методики подобного типа уже использовались в опытных работах, но их быстродействие и разрешающая способность были недостаточными. Недавно фирме EV Group удалось преодолеть ряд проблем и создать вариант данной технологии, предназначенный для массового производства.

Фирма EV Group (EVG), поставщик оборудования склеивания пластин и литографии для MEMS, нанотехнологий и полупроводниковых приборов, представила технологию бесшаблонного экспонирования (maskless exposure, MLE). Эта перспективная технология литографии следующего поколения ориентирована на ожидаемые потребности литографии завершающих этапов обработки для применений в корпусировании, формировании MEMS, биомедицинских печатных плат и печатных плат с высокой плотностью расположения элементов. MLE, первая в мире технология бесшаблонной литографии для массово-поточного производства (ранее подобные технологии применялись для опытных работ), обеспечивает высокие показатели разрешения формирования рисунка, производительности и выхода годных. При этом исключаются значительные накладные расходы, связанные с шаблонами, включая управление ими и инфраструктуру обслуживания. Более того, MLE обеспечивает высокую гибкость, позволяющую существенно укоротить циклы разработки новых приборов. По сути, это один из вариантов многолучевой технологии (см. рисунок).



Источник: EV Group

Общее представление новой MLE-системы фирмы EVG


Технология MLE позволяет подгонять к панелям пластины любого размера, поддерживает работу со всеми доступными на рынке резистами, обладает высоко интегрированной кластерной конфигурацией и высокомощным источником УФ-излучения, работающим на нескольких длинах волн. Производительность MLE-установки не зависит от сложности технологического чертежа и разрешения. Кроме того, MLE позволяет достигать одинаковой производительности формирования рисунка независимо от используемого резиста. MLE дополняет существующие системы литографии EVG и предназначена для новых случаев применения, особенно когда другие подходы сталкиваются с ограничениями масштабирования, стоимости владения и т. д.


MLE будет включена в новую линейку систем EVG, находящихся в настоящее время в разработке.

Разработчики отмечают, что технология MLE показывает хорошие результаты в области завершающих этапов обработки, где при использовании других подходов, например установок пошаговой литографии, приходится идти на компромиссы либо по производительности, либо по издержкам. Особо подчеркивается, что клиентам EVG в сфере завершающих этапов обработки больше не требуется выбирать между разрешающей способностью, гибкостью или стоимостью владения. Ранние этапы разработки технологии MLE совместно с узким кругом избранных клиентов показали, что она подходит для широкого круга применений, число которых растет. Ожидается расширение поддержки технологии MLE со стороны фирм полупроводниковой промышленности.


Новые трудности литографии завершающих этапов обработки

Разработка MLE-технологии для массово-поточного производства связана с новыми вызовами, появившимися в области завершающих этапов обработки пластин. Требования к литографии на этих этапах растут по мере того, как движущей силой в инновациях и разработках полупроводниковых приборов, воздействующей на перспективные методики корпусирования, производства MEMS и печатных плат, становится гетерогенная интеграция. Например, в перспективных методиках корпусирования ужесточаются требования к минимальному разрешению слоев перераспределения (redistribution layers, RDL) и интерпозеров – в силу тенденции к уплотнению шага проводящих линий и промежутков между ними (lines/spaces, L/S). В некоторых случаях они приближаются к значению 2 мкм или превышают его, в то время как отклонения размещения кристалла и использование рентабельных органических подложек требуют большей гибкости при формировании рисунка. Помимо этого, ужесточаются требования к точности совмещения слоев, глубине резкости в формировании рисунка вертикальных боковых стенок. Новые требования, такие как минимизация искажения рисунка и сдвига кристалла вследствие искривления пластины при корпусировании на уровне пластины с разветвлением, а также поддержка необходимой толщины резиста, – лишь некоторые из важных критериев для существующих и перспективных систем литографии и методов корпусирования.

В производстве MEMS – с его сложным ассортиментом изделий – накладные расходы на шаблоны и промежуточные шаблоны оказывают растущее воздействие на стоимость владения. Решающее значение для формирования рисунка в канавках имеет контроль фокусировки (глубины резкости). При этом для производителей печатных плат и биомедицинских приборов требуется большая гибкость формирования рисунка в широком диапазоне как размеров топологических элементов, так и подложек.


Davis Shannon. EV Group Revolutionizes Lithography With New Maskless Exposure Technology. Semiconductor Digest, July 2, 2019: https://siliconsemiconductor.net/article/107692/EV_Group_Revolutionizes_Lithography_With_New_Maskles

 

ЧИТАЙТЕ ТАКЖЕ

Выпуск 8(6732) от 22 апреля 2021 г. г.
Выпуск 6(6730) от 25 марта 2021 г. г.
Выпуск 2(6726) от 28 января 2021 г. г.