ВЫБОР РЕДАКЦИИ

Американо-китайское противостояние в области искусственного интеллекта

SEMI о состоянии полупроводниковой промышленности

SEMI о состоянии полупроводниковой промышленности

SEMI о состоянии полупроводниковой промышленности

Тайвань и американо-китайская борьба за лидерство в микроэлектронике

Стратегический план Made in China‑2025 вышел из-под контроля

Возвращение «блудных сыновей»

Краткий обзор работ в области 5G и значение миллиметрового диапазона

Состояние и планы развития ведущих кремниевых заводов

Состояние и планы развития ведущих кремниевых заводов

Европейские полупроводниковые фирмы открывают центры НИОКР в США

Новые стимулирующие меры для развития производственной базы полупроводниковой промышленности в США

Современное состояние китайской микроэлектроники

КНР готовится к технологическому «разводу» с США

Шесть чувств и не только…

Современное состояние производственной базы микроэлектроники

Некоторые аспекты американо-китайской «технологической холодной войны»

Некоторые тенденции развития производственной базы микроэлектроники

Сбываются ли планы КНР по обеспечению самодостаточности в области ИС?

Новый план стимулирования НИОКР в США на 34 млрд долл.

Прогноз продаж полупроводникового оборудования

Ренессанс полупроводниковых технологий

Проблемы развития микроэлектроники КНР

Министерство обороны США расширяет возможности корпорации SkyWater Technology

Проблемы развития микроэлектроники КНР

ЕС выделяет 2 млрд евро на повышение квалификации занятых в микроэлектронной отрасли

В КНР начался второй этап работы «Большого фонда» развития микроэлектроники

Состояние и перспективы микроэлектроники США

Методика оценки экологичности производства ИС

Состояние и перспективы развития производственной базы микроэлектроники

США: стимулирование развития микроэлектроники и эффективность санкций

IMEC разрабатывает процесс интеграции 2D-материалов на 300-мм пластинах

Краткий обзор деятельности ведущих кремниевых заводов

SMIC: передовые технологии, производственная база и государственное финансирование

Возобновление доступа к материалам Solid State Technology

FanFET – новая транзисторная структура для 3D-флэш-памяти NAND-типа

Данные технологического процесса как средство повышения выхода годных

Маршрутная карта развития FEOL-, MEOL- и BEOL-процессов

Материалы 66-й международной конференции по электронным приборам

Маршрутная карта развития FEOL-, MEOL- и BEOL-процессов

Материалы 66-й международной конференции по электронным приборам

Производственная база микроэлектроники США

Производственная база микроэлектроники США

Выпуск 23(6722) от 26 ноября 2020 г.
РУБРИКА: ПРОИЗВОДСТВЕННАЯ БАЗА

В течение многих лет Америка была лидером в разработке новых микросхем, таких как графические процессоры и микропроцессоры, но сегодня теряет свои позиции в производстве ИС. Во-первых, американские кремниевые заводы и Intel отстают по уровню технологических процессов от своих азиатских конкурентов (в первую очередь корпораций TSMC и Samsung), а Китай быстро сокращает имеющийся отрыв от Америки. Во-вторых, в США резко уменьшилось количество новых заводов по обработке пластин и производственных мощностей в целом. Чтобы не допустить дальнейшего отставания от Южной Кореи, Тайваня и, возможно, даже КНР, США разрабатывают новые стратегии.

Отставание США наблюдается не во всех секторах обрабатывающей промышленности. Но производство ИС имеет решающее значение для сохранения технологического лидерства – ​как с точки зрения цепочки поставок и по экономическим соображениям, так и с точки зрения обеспечения национальной безопасности (ИС – ​основа всех критически важных электронных систем различного назначения). В течение многих лет американские фирмы были широко представлены в числе лидеров разработки новых микросхем и их производства на собственных заводах по обработке пластин. До 2011 г., когда Intel представила первые FinFET, реализованные по 22‑нм технологическому процессу, американские фирмы занимали ведущие места в области разработки перспективных технологических процессов, что критически важно для масштабирования ИС. Каждое новое поколение технологического процесса позволяет создавать полупроводниковые приборы с меньшими размерами топологических элементов и бóльшим быстродействием.

Однако времена изменились. Сегодня динамика развития высокотехнологичного сектора демонстрирует тревожные для США тенденции, связанные с утратой лидерства в области производства полупроводниковых приборов, причем этот процесс идет уже довольно давно. Более существенно то, что утрачивается лидерство в сфере предоставления услуг кремниевого завода – ​а эта область намного шире и значительнее, чем собственно производство [1].

Корпорация Intel, признанный технологический лидер США, недавно вновь отложила освоение в производстве своего нового 7-нм технологического процесса – ​сроки его внедрения перенесены на конец 2021 – ​начало 2022 г. До этого корпорация несколько лет испытывала трудности с освоением 10-нм процесса [2]. Из-за этого увеличилось отставание Intel от основных конкурентов – ​Samsung (Южная Корея) и TSMC (Тайвань): эти корпорации уже приступили к серийному выпуску 5-нм ИС. Хотя представители Intel клянутся исправить ситуацию, нынешнее состояние дел имеет последствия для национальной безопасности США. Для Министерства обороны США, военных и авиакосмических подрядчиков, а также для конкурентоспособности электронного комплекса в целом наличие на национальной территории производственных мощностей, способных выпускать ИС по перспективным технологиям с минимальными проектными нормами, имеет большое значение.

Производители ИС продолжают строить в США заводы по обработке пластин, но темпы их создания отстают от темпов азиатских конкурентов. По данным Ассоциации полупроводниковой промышленности США (SIA) и группы Boston Consulting Group (BCG), доля США в общем парке установленных мощностей по обработке пластин снизилась с 37% в 1990 г. до 12% в 2020, а в 2023-м этот показатель может снизиться до 10% (рис. 1). В то же время в азиатских странах наблюдалось стремительное развертывание производственных мощностей, в результате чего их доля в мировом парке установленного оборудования достигла 80%. КНР, в частности, реализует амбициозную программу создания отечественной микроэлектронной промышленности, призванную ликвидировать зависимость Поднебесной от импорта ИС, – ​на эти цели выделено около 150 млрд долл. Ситуация ухудшается тем, что «Большой Китай», включающий в себя Гонконг, КНР и Тайвань, представляет собой горячую геополитическую точку, а торговая война между США и КНР усугубляет напряженность в регионе, где сосредоточена большая часть производственных мощностей полупроводниковой промышленности, выпускающих ИС по наиболее передовым технологическим процессам. Любое нарушение цепочек поставок будет иметь серьезные последствия в плане доступа США к этим мощностям.



Источник: SIA

Рисунок 1. Динамика долей КНР и США в мировом производстве полупроводниковых приборов


Американские политики признают, что в стране необходимо строить больше заводов по обработке пластин. Однако это дорогостоящее занятие – ​современный завод по обработке 300-мм пластин стоит от 10 млрд до 20 млрд долл., при этом рентабельность инвестиций не гарантируется. Впрочем, несмотря на то, что производство имеет решающее значение, это лишь одна часть уравнения. Американские фирмы продолжают лидировать в таких областях, как проектирование ИС, специализированные процессы, инструментальные средства САПР и оборудование заводов по обработке пластин. Тем не менее как властями, так и коммерческими компаниями США был предпринят ряд мер по укреплению конкурентоспособности отрасли:

Конгресс предложил программу стимулирования строительства новых американских заводов по обработке пластин;

США надеются создать консорциум по вопросам развития технологий микроэлектроники и производственных мощностей;

корпорации GlobalFoundries и Intel приступили к модернизации своих технологических процессов, а TSMC планирует построить в США современный завод по обработке пластин;

корпорация Intel создала новую коммерческую компанию для разработки конструкций ИС на базе чиплетов.

Отмечается, что чиплеты, интегрируемые в перспективные корпуса и модули – это еще один способ сохранить конкурентоспособность США в области микроэлектроники.

США требуется больше заводов по обработке пластин

В микроэлектронике множество фирм конкурирует на множестве рынков, при этом в ряде ключевых технологий активизируется конкуренция между ведущими странами. К таким технологиям относятся сети и средства связи 5G, искусственный интеллект и квантовые вычисления. Попытки КНР создать собственную полупроводниковую промышленность полного цикла существенно обострили конкуренцию в отрасли. Чтобы понять динамику происходящего, необходимо совершить исторический экскурс.

В течение десятилетий полупроводниковая промышленность развивалась в соответствии с т. н. законом Мура, предполагающим удвоение числа транзисторов на кристалле ИС каждые 1,5–2 года без увеличения удельной стоимости функции для конечного потребителя. Эта тенденция наращивания функциональности ИС стала одним из важнейших факторов развития рынков и технологий мобильных телефонов, компьютеров и т. п. На раннем этапе развития полупроводниковой промышленности, когда сооснователь Intel Гордон Мур впервые озвучил свое эмпирическое наблюдение, ИС изготавливались на пластинах диаметром 30 мм, а строительство и оснащение завода по обработке пластин обходилось примерно в 1 млн долл.

Долгое время большинство производителей ИС изготавливали их на собственных заводах по обработке пластин, периодически осуществляя переход к пластинам большего диаметра. Каждый такой переход позволял разместить на пластине в среднем в 2,2 раза больше кристаллов ИС и, соответственно, уменьшить удельные затраты, но в то же время для обработки пластин большего диаметра требовалось укрупнение заводов и установка более дорогого оборудования. Все это происходило параллельно росту спроса на полупроводниковые приборы, вместе с которым росли и производственные затраты. Начиная с 2000‑х гг. производители ИС стали переходить с 200‑мм на 300-мм пластины – ​стоимость первых заводов по их обработке составляла 2 млрд долл. (при стоимости заводов по обработке 200-мм пластин 0,7–1,3 млрд долл.). В то время наиболее передовым был 130-нм технологический процесс, и выпускать такие ИС могли только 18 фирм во всем мире.

Внезапно конкурентный ландшафт поменялся – ​появилась новая бизнес-модель кремниевых заводов (foundry), которую начали активно использовать азиатские фирмы, осуществлявшие производство ИС для внешних заказчиков. Сначала по технологическому уровню кремниевые заводы отставали от своих конкурентов – ​традиционных полупроводниковых фирм полного цикла (IDM). Одновременно с кремниевыми заводами появилась и fabless-модель, предполагавшая отсутствие собственных производственных мощностей и сосредоточение только на проектировании ИС. Возникла модель партнерства fabless-foundry. Начиная с этого момента многим поставщикам ИС стало не по карману не только создавать новые производства под больший диаметр пластин или меньшие проектные нормы технологического процесса, но и содержать уже имеющиеся мощности. Большинство IDM либо сразу превратились в fabless-фирмы, отдав изготовление ИС на аутсорсинг кремниевым заводам, либо перешли на использование модели fab-lite. При этом крупнейшие корпорации, обладавшие значительными ресурсами – ​такие как Intel, – ​сохранили собственное производство в качестве конкурентного преимущества.

Производственный маятник качнулся в сторону Азии, где правительства ряда стран начали предоставлять микроэлектронным фирмам налоговые льготы и использовать другие методы стимулирования производства ИС на своей территории. Это вызвало взрывообразное расширение производственной базы в КНР, Сингапуре, Южной Корее и на Тайване. В результате в 2020 г. на первом месте по объему установленных мощностей оказался Тайвань, а ЕС – ​на последнем (табл. 1).


Таблица 1

Структура установленных мощностей полупроводниковой промышленности в 2020 г. 

Страна/регион

Доля в мировом парке установленного оборудования, %

Тайвань

22,0

Южная Корея

21,0

Япония

15,0

КНР

15,0

США

12,0

ЕС

9,0

Прочие

6,0

Итого

100,0


Доля КНР в мировом парке установленного оборудования выросла с 3% в 2000 г. до 15% в 2020-м, что позволяет Поднебесной обогнать США. Хотя китайцы по-прежнему отстают по уровню технологических процессов и испытывают нехватку высококвалифицированных кадров, они активно инвестируют в создание новых мощностей – ​в настоящее время сооружается более десятка заводов по обработке пластин. В то же время на территории обеих Америк, главным образом в США, сейчас расположено 76 заводов по обработке пластин (10 лет назад, в 2010 г., их было 81), причем в их число входят филиалы неамериканских фирм, таких как Broadcom, GlobalFoundries, Infineon, NXP, Samsung, Tower, TSMC и X-Fab. Без учета последних на американские предприятия приходится 10% мировых установленных производственных мощностей, при этом в мировых продажах изделий микроэлектроники на них приходится 30% аналоговых приборов, 12% логических приборов и 5% схем памяти.

Попытки стимулирования полупроводниковой промышленности США

В настоящее время, по данным SEMI, в США реализуется несколько проектов создания новых заводов по обработке пластин (табл. 2).


Таблица 2

Создаваемые в США заводы по обработке пластин по состоянию на 2020 г.

Корпорация

Место расположения

Продукция/специализация

Cree

шт. Нью-Йорк

SiC-приборы

GlobalFoundries

шт. Нью-Йорк

Кремниевый завод

Intel

шт. Орегон

Логические приборы

Texas Instruments

шт. Техас

Аналоговые приборы

TSMC

шт. Аризона

Кремниевый завод


По мнению руководства SIA, для обеспечения национальной безопасности и надежности цепочки поставок необходимо строить больше заводов по обработке пластин на территории США. При этом важно учитывать опыт других стран по стимулированию развития отрасли, включая значительные льготы полупроводниковым фирмам. Кроме того, следует увеличить государственные инвестиции в НИОКР по микро-электронике: если 30 лет назад их объем составлял несколько процентов от ВВП, то сегодня – ​лишь малую часть от 40 млрд долл., суммарно затраченных полупроводниковыми компаниями в 2019 г. SIA утверждает, что есть возможность переломить ситуацию: активное стимулирование производства ИС на территории страны и соответствующих НИОКР позволит укрепить не только полупроводниковую промышленность, но и экономику США в целом, национальную безопасность, устойчивость цепочек поставок, облегчить противодействие кризисам (таким как пандемия) в будущем.

Одним из путей решения задач, стоящих перед США, видится проект «Закона о стимулировании разработки и производства полупроводниковых приборов в Америке» (Creating Helpful Incentives to Produce Semiconductors (CHIPS) for America Act). Проект предусматривает выделение грантов в сумме 10 млрд долл. в рамках новой федеральной программы создания заводов по обработке пластин, а также предоставление налоговых льгот, так что совокупная величина мер стимулирования превысит 22 млрд долл. Но пока этот законопроект застрял в Конгрессе, и несмотря на то что его представили и демократы, и республиканцы, нет уверенности в том, что он будет принят. Кроме того, все эти меры оцениваются специалистами SIA и BCG как недостаточные и запоздалые. Отраслевые эксперты указывают, что для возвращения на необходимый уровень конкурентоспособности американской полупроводниковой промышленности требуется не менее 50 млрд долл. Часть экспертов полагает, что и эта сумма слишком мала, и в качестве обоснования приводят проект сооружения завода по обработке 300‑мм пластин для выпуска 3-нм ИС в научно-промышленном парке Синьчжу (Тайвань) – ​только на его реализацию TSMC выделила 19,5 млрд долл. Кроме того, построить завод по обработке пластин в США обойдется дороже, чем за рубежом, в особенности в странах Азии. В свете этого неудивительно, что одновременно со строительством нового завода в Аризоне (Fab 42) корпорация Intel планирует также создать предприятия в Израиле и Ирландии – ​из-за предоставляемых правительствами этих стран пакетов льгот и прочих мер стимулирования.

Большинство представителей американской полупроводниковой промышленности сходятся во мнении, что стимулировать нацио-нальные предприятия в той или иной форме необходимо – ​хотя бы для того, чтобы не допустить дальнейшего падения доли США в мировом парке установленного полупроводникового оборудования ниже уровня 10–12%. При всем том в США существуют и критики политики субсидирования, утверждающие, что за последние 5–10 лет в отрасли проделана хорошая работа по совершенствованию управления производственными мощностями. В качестве примера они приводят рынок схем памяти, отмечая, что эффективное управление производственными мощностями означает бóльшую стабильность средних продажных цен (СПЦ) и доходов, а субсидирование заводов по обработке пластин в прошлом приводило к дисбалансу (избыточности) производственных мощностей.

Стоящие перед американской полупроводниковой промышленностью проблемы не исчерпываются вышеперечисленными. Сегодня есть очень немного фирм, способных заполнить своими заказами мощности новейшего завода по обработке пластин стоимостью около 20 млрд долл. Успех TSMC объясняется тем, что у компании сформировался устойчивый круг из сотен заказчиков, нуждающихся в изготовлении разнообразной продукции – ​разного назначения и величины партии. Таким образом, простое наращивание производственных мощностей не гарантирует прочного положения в отрасли. Вместе с тем есть общее понимание того, что, если власти США не будут действовать совместно с национальной полупроводниковой промышленностью, отрицательные экономические последствия неизбежны. Центр развития новых технологий и инноваций в области микроэлектроники постепенно переместится в другие страны или регионы, что рано или поздно приведет к аналогичному дрейфу в области электроники в целом. Итогом для США станет не только технологическое отставание, но и резко отрицательное воздействие на экономический рост, количество рабочих мест и т. п.

Гонка в области технологических процессов

Американские изготовители занимают устойчивые позиции в области собственных (проприетарных) специализированных процессов, таких как технологии с использованием материалов типа АIIIВV, аналоговые и РЧ-технологии. Не менее сильные позиции американские фирмы занимают и в области зрелых логических процессов с топологическими нормами 28/22 нм и выше. Это существенное обстоятельство, так как сегодня в большинстве электронных систем каждая современная ИС с минимальными проектными нормами используется в сочетании по крайней мере с 5–10 более зрелыми ИС, все еще производящимися в США.

Однако Америка отстает в сфере перспективных логических процессов и процессов кремниевых заводов. При достижении проектных норм 20 нм традиционные планарные транзисторы достигли физического предела возможностей своего масштабирования и совершенствования. В 2011 г. корпорация Intel перешла на FinFET (рис. 2) с 22-нм топологиями; кремниевые заводы, в свою очередь, перешли к FinFET с проектными нормами 16/14 нм.



Источник: Lam Research

Рисунок 2. Сопоставление планарного транзистора и FinFET


FinFET обеспечивают бóльшую, чем планарные транзисторы, производительность при меньшей потребляемой мощности. Однако они сложнее и дороже в производстве, так как для их создания требуется большее число этапов технологического процесса. Повсеместное применение FinFET также способствовало сужению производственной базы. Только с десяток IDM и кремниевых заводов обладают ресурсами, необходимыми для перехода на FinFET технологический процесс с проектными нормами 16/14 нм. В первую очередь его освоили GlobalFoundries, Intel, Samsung, TSMC и UMC, недавно к ним присоединился крупнейший китайский кремниевый завод SMIC. В 2016 г. Intel планировала закрепить свое лидерство за счет 10-нм FinFET-процесса. Но его освоение задержалось, и первые процессоры по этой технологии корпорация представила только в 2019 г. В то же время TSMC в начале 2018 г. начала поставлять первую в мире 7-нм FinFET ИС, за ней последовала Samsung. При этом Intel утверждает, что ее 22-нм FinFET-процесс эквивалентен 16/14-нм процессам кремниевых заводов, а 10-нм FinFET-процесс эквивалентен 7-нм FinFET-процессам Samsung и TSMC.

Сложившаяся ситуация важна по нескольким причинам. Во-первых, Intel оказывает услуги кремниевого завода на свободных мощностях (в отличие от Samsung, которая создала для этого автономное подразделение) в ограниченном объеме. Поэтому в качестве кремниевого завода эта корпорация конкуренции TSMC не составляет. При этом TSMC предоставляет свои услуги конкурентам Intel, таким как AMD и nVidia, которые таким образом неожиданно получили преимущество с точки зрения используемого технологического процесса. Кроме того, в 2018 г. корпорации GlobalFoundries и UMC (№ 2 и № 3 в рейтинге «чистых» кремниевых заводов) прекратили разработку 7-нм процессов (продолжив при этом работу над 16/14-нм процессами). Причина – ​дороговизна и проблемы с рентабельностью. Таким образом, круг фирм, осваивающих 7-нм процесс, сузился до Intel, Samsung и TSMC. Впоследствии в начале 2020 г. Samsung и TSMC начали поставлять 5-нм ИС, SMIC недавно получила от китайского поставщика сложнофункциональных (СФ) блоков процесс, сходный по характеристикам с 7-нм процессом, а Intel объявила об отсрочке вывода на рынок своего 7-нм процесса – ​он по-прежнему находится в стадии НИОКР. Таким образом, из-за проблем Intel и решения GlobalFoundries в США сегодня нет кремниевого завода или IDM, способных производить ИС по 7-нм технологическому процессу. Intel даже обдумывает возможность отдать производство таких ИС на аутсорсинг кремниевым заводам.

Пытаясь решить свои проблемы, Intel пытается сформировать при поддержке правительства США консорциум по созданию и управлению перспективным кремниевым заводом, но до сих пор не ясно, будет ли эта идея реализована. Недавно GlobalFoundries получила новый земельный участок под расширение своего завода по обработке 300-мм пластин в шт. Нью-Йорк. В свете усилий Конгресса и Администрации президента возможно участие этого завода в предполагаемом консорциуме, но достоверных данных пока нет. Надежды руководства США также могут быть связаны с ожидаемым строительством в Аризоне завода по выпуску 5-нм ИС корпорацией TSMC (ввод в строй запланирован на 2024 г.) – ​тайваньскую фирму вынудили пойти на этот шаг. Тем не менее вопрос о том, смогут ли США восстановить свою конкурентоспособность в области технологических процессов с минимальными топологиями, остается неясным – ​как и о том, какая фирма станет ведущим кремниевым заводом страны.

Настало время чиплетов

Гонка масштабирования в области технологических процессов с минимальными проектными нормами – ​не единственный способ сохранения конкурентоспособности. Обычно при переходе на новый технологический уровень с меньшими проектными нормами разрабатывается специализированная ИС (ASIC), используемая для размещения на одном монолитном кристалле ИС при помощи масштабирования различных функциональных блоков. Но по мере уменьшения минимальных размеров топологических элементов масштабирование становится все сложнее и дороже, а преимущества в виде снижения потребляемой мощности и увеличения производительности уменьшаются. Само по себе масштабирование способно повысить производительность на каждом технологическом уровне менее 7 нм на 10–20%. В то же время применение таких подходов, как архитектурные изменения, специализированные ускорители и совместное проектирование аппаратного и программного обеспечения, может обеспечить рост производительности в 10–1000 раз. Кроме того, не все элементы ИС выигрывают от масштабирования. Если с цифровой логикой проблем не возникает, то аналоговые компоненты имеют жесткие ограничения. Поэтому вместо тотального масштабирования с размещением всех элементов на одном кристалле в промышленности возникла тенденция перехода к корпусированию сложных кристаллов в перспективные модули.

В настоящее время IDM, кремниевые заводы и OSAT из нескольких стран предпочитают использовать чиплет-стратегию. В соответствии с ней в библиотеке изготовителя ИС подбирается меню модульных кристаллов, или чиплетов. Заказчики получают возможность смешивать и подгонять эти чиплеты, а затем интегрировать их в существующие перспективные корпуса и модули или новые архитектуры. Корпорации AMD, Intel и ряд других уже разработали чиплет-подобные конструкции, которые соответствуют функциональности ASIC или превосходят ее и при этом производятся с меньшими издержками. Но по мере того как все больше независимых поставщиков начинает разрабатывать на продажу чиплеты для разных рынков, рыночное доминирование в новых областях, таких как краевые вычисления, становится вещью непредсказуемой и изменчивой.

Привлекательность использования чип-летов продолжает расти. Так, корпорация Intel в рамках Программы создания опытных образцов перспективных приборов на основе гетерогенной интеграции (State-of-the-Art Heterogeneous Integration Prototype (SHIP) program) заключила контракт с МО США на разработку чиплетов и создала специализированное коммерческое подразделение на территории США. В рамках программы различные клиенты, включая подрядчиков Пентагона и оборонное сообщество, получают доступ к возможностям корпусирования, которыми обладает Intel. Специалисты МО США отмечают, что по мере исчерпывания возможностей традиционного масштабирования важность технологии гетерогенной сборки возрастает [1].


1. LaPedus Mark, Steffora Mutschler Ann. Regaining the Edge in U. S. Chip Manufacturing. Semiconductor Engineering, October 26, 2020: https://semiengineering.com/can-the-u-s-regain-its-edge-in-chip-manufacturing/ 

2. Gartenberg Chaim. Intel’s Next-Gen 7nm Chips Are Delayed Until at Least 2022. The Verge, July 23, 2020: https://www.theverge.com/circuitbreaker/2020/7/23/21336356/intel7nm-chips-next-gen-delay-q2–2020-earnings-amd10nm-tiger-lake-desktop-laptop-cpu


ЧИТАЙТЕ ТАКЖЕ

Выпуск 24/25 (6748/6749) от 23 декабря 2021 г. г.
Выпуск 23(6747) от 25 ноября 2021 г. г.