EUV-литография: достоинства и недостатки методик однократного и многократного формирования рисунка

EUV-литография: достоинства и недостатки методик однократного и многократного формирования рисунка

Выпуск 9(6683) от 07 мая 2019 г.
РУБРИКА: ПРОРЫВНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ МИКРО И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ

Литография на источниках излучения в предельной УФ-области спектра (EUV) окончательно вошла в серийное производство у ряда крупных производителей на уровне топологий порядка 10/7 нм. Однако проблемы не исчерпаны. Например, сама идея EUV-литографии возникла как вариант ухода от методик многократного формирования рисунка в рамках иммерсионной 193-нм литографии в пользу формирования структур «за один прогон». Однако уже сейчас возникает вопрос – ​а не понадобится ли на 5-нм топологиях многократное EUV-формирование рисунка?

EUV-литография наконец-то стала производственной технологией серийного изготовления ИС. Клиентам кремниевых заводов теперь предстоит решить, реализовывать ли свои проекты с использованием методики однократного формирования рисунка на топологиях 7 нм или подождать и начать использовать методику многократного EUV-формирования рисунка на 5-нм топологиях. У каждой методики есть присущие только ей проблемы, что делает выбор более сложным, чем может показаться. Методика однократного EUV-формирования рисунка, предназначенная для 7-нм проектных норм, позволяет создавать структуры приборов с плотным шагом элементов в рамках однократного EUV-экспонирования, но при использовании современных резистов это относительно медленный процесс. Кроме того, для данной методики характерны нежелательные случайные или стохастические дефекты рисунков, что отрицательно влияет на выход годных. Фирмы, работающие с наиболее передовыми топологическими нормами, тщательно выбирают, куда инвестировать свои ресурсы развития, так как разработка и освоение 5-нм процессов уже идет полным ходом.

При формировании критических слоев на уровне 5-нм технологий использование методики двойного формирования рисунка потребуется даже при применении EUV-литографии. Тем не менее у этого варианта есть некоторые существенные преимущества. Например, можно увеличить шаг топологических элементов (он будет сокращен при втором проходе за счет впечатывания в него второй части рисунка), после чего провести их обработку. Это помогает снизить число дефектов. Многие фирмы, работающие с новейшими проектными нормами, хорошо освоили методику многократного формирования рисунка. Недостаток данного подхода заключается в удорожании технологического процесса, что увеличивает и без того астрономические издержки на проектирование ИС.

В любом случае EUV-литография окажет значительное воздействие на полупроводниковую промышленность. Хотя производителям ИС удалось продлить использование традиционной 193-нм (иммерсионной) литографии и методик многократного формирования рисунка на технологический уровень 10/7 нм, вый-ти за его пределы по наиболее сложным топологическим элементам без использования EUV-литографии не удастся – ​слишком трудно и дорого. Проектные нормы 7 нм стали точкой перехода, на которой еще ведутся споры о том, какой подход использовать дальше. При этом, даже если EUV применяется для формирования элементов с критическими размерами, другие части прибора вполне могут быть созданы с использованием традиционных методик формирования рисунка.

Корпорации Samsung и TSMC уже используют EUV-литографию, Intel разрабатывает собственную версию 7-нм процесса. Тем не менее данная технология по-прежнему считается незрелой и не до конца опробованной. По этой и ряду других причин один из ведущих клиентов кремниевых заводов, корпорация Apple, не торопится осваивать EUV-литографию в рамках 7-нм процессов, планируя в скором будущем задействовать технологию для изготовления ИС по 5-нм процессам. В конце концов все сводится к экономическим факторам – ​даже если EUV-литография технически готова, но не решены вопросы с выходом годных и производительностью производственного оборудования, у клиентов меньше стимулов к освоению этой технологии. В этом смысле не важно, какой подход – ​однократное или многократное формирование рисунка – ​будет принят. Важна рентабельность.


ГОТОВА ЛИ EUV-ЛИТОГРАФИЯ К МАССОВОМУ ПРОИЗВОДСТВУ?

Современные кристаллы ИС состоят из трех частей – ​транзисторов, контактов и межсоединений. Транзистор расположен в нижней части структуры и выполняет функцию переключателя. Межсоединения, расположенные поверх транзистора, состоят из тонких структур медной разводки. В кристалле ИС обычно насчитывается 9–12 слоев медной металлизации. Транзисторная структура и межсоединения соединяются слоем, содержащим контакты (рис. 1).



Источник: Applied Materials

Рисунок 1. Межсоединения, контакты и транзисторы на различных уровнях топологических норм


Пока полупроводниковая промышленность продвигалась к топологическому уровню 28 нм, литография была одним из относительно простых и более-менее стандартных процессов формирования прибора: сначала на шаблон наносились топологические элементы, потом их отображение формировалось на пластине за один этап экспонирования. Начиная с уровня 22/20 нм ситуация изменилась: расположение топологических элементов на шаблоне стало слишком плотным, что затрудняло их различимое воспроизведение на пластине. Для преодоления этой проблемы были разработаны методики многократного формирования рисунка, предполагающие разделение форм первоначального шаблона по двум или большему числу шаблонов. Рисунок каждого шаблона воспроизводится на пластине отдельно, пока в конце концов не сформируется весь набор первоначально выбранных фигур. В условиях заводов по обработке пластин наибольшее распространение получила методика двойного формирования рисунка с самосовмещением. Тем не менее к настоящему времени наиболее сложные топологические элементы, такие как нижние слои металлизации, контакты и межслойные переходы, становится все труднее формировать с применением 193-нм литографии. Именно поэтому производители ИС нуждаются в EUV-литографии.

Для формирования сложных металлических слоев на 10/7-нм технологическом уровне некоторые производители используют 193-нм иммерсионную литографию и методику двойного формирования рисунка, что позволяет достичь минимального шага в 38 нм, для формирования одного слоя используются два этапа литографии и два этапа травления. Этот подход получил название «литография-травление-литография-травление» (litho-etch-litho-etch, LELE). Другие производители используют методику тройного формирования рисунка, где один слой формируется тремя этапами литографии и тремя этапами травления (LELELE). Здесь начинается самое трудное, включая контроль изменчивости параметров процесса. Если нужно добиться 38-нм шага элементов путем иммерсионного двойного формирования рисунка, недостаточно просто сформировать линии. В частности, для создания сложных элементов может потребоваться больше этапов экспонирования, чем предполагалось первоначально.

EUV-литография обещает решить подобные проблемы. Например, подход 193-нм литографии с многократным формированием рисунка требует трех этапов экспонирования для обработки критических слоев металла на уровне 7-нм технологии. EUV-литография с однократным формированием рисунка позволяет сделать то же самое за один этап экспонирования. Однако разработка этой технологии оказалась сложнее, чем ожидалось. В EUV-литографии источник излучения преобразует плазму в световое излучение с длиной волны 13,5 нм, которое затем отражается от 10 многослойных зеркал в EUV-сканере. Кроме того, перед интеграцией системы в производственную линию необходимо объединить компоненты EUV-процесса, такие как сканер, источник излучения, резисты и шаблоны.

Ближе к концу 2019 г. корпорация ASML начнет поставки заказчикам новой версии EUV-сканера – ​NXE:3400C. Как и используемая ныне модель, новая система оснащена источником излучения мощностью 246 Вт и обладает разрешением 13 нм. Производительность доведена до 170 пластин в час, по сравнению со 125 пластинами в час у используемой модели, увеличено время безотказной работы.

Ключевым элементом EUV-литогра-фии, помимо сканера, является EUV-шаблон. Начальный этап освоения EUV-литографии не требует применения сложной методики коррекции эффекта оптической близости (ОРС) или технологии инверсионной литографии (ILT), что уменьшает объем обрабатываемых данных, облегчает требования к минимальным размерам топологических элементов шаблона и обеспечивает достаточно эффективный контроль. Инфраструктура EUV-шаблонов готова к использованию на уровне 7-нм EUV-литографии. Производители шаблонов работают с поставщиками полупровод-никовых приборов по вопросам аттестации шаблонов следующих технологических уровней, при этом изменения в материалах многослойных шаблонов и поглотителей ожидаются на технологических уровнях 3 нм и менее. Тем не менее по-прежнему остаются технологические пробелы. Например, изготовители ИС хотят получить EUV-пелликулы (тонкие пленки), способные передавать 90% светового излучения. Однако корпорация ASML, единственный поставщик EUV-пелликул, поставляет пленки с коэффициентом передачи излучения порядка 83–84%. Это лучше, чем в 2018 г., но еще не вполне устраивает потребителей. Кроме того, ASML работает над снижением уровня дефектности сканеров. Поэтому одни поставщики ИС не будут осваивать EUV-литографию, пока не появятся необходимые пелликулы, а другие – ​освоят EUV-литографию в производстве с доступными пелликулами.

EUV-сканер генерирует фотоны, взаимодействующие с резистами, что вызывает различные реакции. Из-за определенных проблем с резистами в формируемых кристаллах ИС могут возникать случайные или стохастические дефекты. Отраслевые специалисты, с одной стороны, пытаются понять, что вызывает изменчивость параметров процесса, приводящую к возникновению дефектов, а с другой – ​разрабатывают инструментальные средства их обнаружения. Стохастические дефекты и отказы носят случайный характер, что требует высокого уровня охвата контролем всей пластины. Методики контроля – ​такие как интеграция проектно-конструкторской информации и разбиение значений случайной величины дефектов на интервалы на основе машинного обучения – ​помогают изолировать стохастические дефекты. Дополнительную информацию о распределении критических размеров можно получить электронно-лучевыми методиками – ​в дополнение к оптическому контролю. Электронно-лучевые методики позволяют осуществлять выборки с высокой плотностью, но их быстродействие относительно низко.


ОДНОКРАТНОЕ И МНОГОКРАТНОЕ EUV-ФОРМИРОВАНИЕ РИСУНКА

Несмотря на существующие проблемы, кремниевые заводы готовятся к промышленному освоению EUV-технологии. Например, крупнейший «чистый» кремниевый завод TSMC для производства первого поколения 7-нм ИС использует 193-нм иммерсионную литографию и методику многократного формирования рисунка. В 2019 г. корпорация начнет применять EUV-литографию при производстве второго поколения 7-нм ИС, по крайней мере для формирования некоторых критических слоев. В 2020 г. корпорация планирует начать выпуск 5-нм ИС, причем число слоев, для формирования которых применяется EUV-литография, будет существенно увеличено. Корпорация Samsung намерена использовать EUV-литографию для изготовления 7-нм, а позднее и 5-нм ИС. Корпорация Intel планирует использовать EUV-литографию на уровне 7-нм процессов, которые, по утверждениям ее специалистов, будут аналогичны по основным параметрам 5-нм процессам Samsung и TSMC.

На уровне 7-нм технологического процесса EUV-литография, в частности, пригодна для однократного формирования рисунков топологических элементов с шагом 38 или 36 нм. Она также может использоваться для формирования контактов и межслойных переходов, обладающих бЧльшим шагом. Но здесь начинаются компромиссы. Для формирования металлических слоев в рамках 7-нм процесса подходит 193-нм иммерсионная литография и методика многократного формирования рисунка, использование которых удалось продлить до этого уровня. Но 7-нм проектные нормы также являются отправной точкой использования технологии однократного EUV-формирования рисунка. Это означает, что производителям ИС придется решать, какую из этих технологий применять для производства своих ИС.

Кроме того, поскольку EUV-лито-графия сильно задержалась с освоением в производстве (первоначально предполагалось начать ее использование в 2005 г. на 90-нм технологическом уровне), окно существования однократного EUV-формирования рисунка сузилось до 7-нм процесса. Действительно, при том что стартовая точка для нее – ​шаг элементов порядка 38/36 нм, предел возможностей данной методики достигается уже при шаге около 32/30 нм. Шаг менее 30 нм потребует использования технологии двойного EUV-формирования рисунка, применение которой намечено на уровне 5-нм процессов (ввиду того, что на уровне 7-нм процесса эта методика непрактична).

Заказчики кремниевых заводов могут запустить конструкции своих 7-нм ИС в производство с использованием методики однократного EUV-формирования рисунка и достаточно быстро дойти до пределов ее возможностей. Но стоит ли тратить средства на процесс с ограниченными технологическими (а возможно, и временными) границами существования?

Правда, существует вероятность продлить использование однократного EUV-формирования рисунка на меньшие размеры топологических элементов. Данная методика в основном ориентирована на достаточно гибкие конструкции, так что добиться снижения шага элементов до 32 нм вполне возможно. Но вот опуститься ниже с существующими резистами – ​очень проблематично. Также встают вопросы создания робастного EUV-резиста с необходимой чувствительностью и точной выдержки дозы облучения.

Доза облучения играет важную роль в процессе EUV-литографии. По мнению отраслевых экспертов, производительность EUV-сканера тесно связана с мощностью источника излучения. Например, при дозе 30 мДж/см2 EUV-сканер с источником излучения мощностью 250 Вт способен обрабатывать 104–105 пластин в час (данные корпорации ASML). При работе с EUV-литографией производители ИС для обработки резиста используют различные дозы, при этом 20/30 мДж/см2 считается низкой дозой, а 80 мДж/см2 – ​высокой. В обоих случаях существуют определенные проблемы. Предположим, есть шаблон с плотным шагом, требующий очень большой дозы облучения, в результате чего производительность установки снижается. Однако при использовании больших доз уменьшается дефектность. Так, при дозе 30 мДж/см2 рисунки с плотным шагом элементов, полученные методом однократного EUV-формирования, демонстрируют больший уровень дефектности, чем те же самые рисунки, сформированные при использовании дозы 80 мДж/см2.

В случае применения резистов лучшего качества при использовании однократного EUV-формирования рисунка можно создать топологические элементы с плотным шагом практически без дефектов, но резисты этого типа по-прежнему находятся в стадии НИОКР.

Некоторые отраслевые специалисты считают, что методика однократного формирования рисунка имеет больше смысла, чем ее многократная альтернатива. Действительно, лучше удвоить дозу облучения, чем заниматься двойным формированием рисунка. Важный аспект здесь – ​точность совмещения шаблонов. Для ее увеличения и избежания неточного совмещения еще в рамках 193-нм иммерсионной литографии с применением методик двукратного (многократного) формирования рисунка был реализован «спейсерный» подход. Он основан на использовании вспомогательных топологических элементов (размеры которых могут быть меньше разрешающей способности конкретной технологии литографии) – ​спейсеров (spacers), позволяющих повысить точность размещения основных, в первую очередь критических, топологических элементов, а также повысить точность совмещения шаблона с обрабатываемой пластиной (рис. 2). Этот подход также хорошо вписывается в EUV-литографию – ​как для однократного, так и для многократного формирования рисунка.



Источник: Lam Research

Рисунок 2. Самосовмещающиеся спейсеры позволяют избежать неточного совмещения шаблона


Методика многократного формирования рисунка, как и методика однократного формирования, обладает своим набором трудностей. Если клиенты кремниевого завода переходят к 5-нм технологическому процессу, им потребуется осуществлять двойное формирование многих топологических элементов. Специалисты корпорации ASML подчеркивают, что они всегда планировали переход от однократного EUV-формирования рисунка к многократному – ​по аналогии с иммерсионной литографией и ее аналогичными вариациями. Соответственно, заранее было известно, что двойное EUV-формирование рисунка будет дороже однократного. В то же время на уровне 5-нм технологий это намного более выгодная альтернатива 193-нм литографии с методиками многократного формирования рисунка. Дело не только в том, что двойной цикл EUV короче и дешевле в массовом производстве при достижении определенных объемов выпуска, но и надежнее. Для многократного 193-нм иммерсионного формирования рисунка потребуется от шести до восьми иммерсионных этапов экспонирования. Многие специалисты полагают, что такой подход просто не будет работать.

Методика двойного EUV-формиро-вания рисунка предполагает разделение принципиального шаблона кристалла ИС на два более простых шаблона. Каждый из них отвечает за формирование отдельного слоя. В условиях завода по обработке пластин этот метод будет состоять из таких же основных этапов технологического процесса, как иммерсия и двойное формирование рисунка. В основе двойного EUV-формирования рисунка лежит идея увеличить шаг топологических элементов на каждом уровне (последующее впечатывание в промежутки другой половины рисунка приведет к уменьшению шага) и использовать более высокую дозу облучения. Этапы производства становятся более дорогими (однако их меньше, чем при 193-нм иммерсии), но при этом снижается уровень дефектности.

По данным корпораций IC Knowledge и TEL, отправной точкой двойного EUV-формирования рисунка является шаг топологических элементов в 26 нм. Для формирования контактов и межслойных переходов, которые обычно крупнее других элементов, на уровне 5-нм технологий будет использоваться методика однократного EUV-формирования рисунка.

Одним из основных направлений использования EUV в производстве станет формирование структур с очень плотным шагом элементов. Как отмечают специалисты Межуниверситетского центра микроэлектроники (IMEC, г. Левен, Бельгия), единственный способ получения бездефектного изображения – ​формирование топологических элементов большего, чем нужно, размера. Подобный подход действует до шага элементов порядка 40 нм, если же нужно получить меньший шаг (например, 38 нм), то проектировщик выходит на предел возможностей 193-нм иммерсионной литографии с использованием методики двойного формирования рисунка с самосовмещением (self-aligned double pattering, SADP). Если же в рамках однократного EUV-формирования рисунка удастся сделать то, что ранее достигалось при использовании 193-нм иммерсии с тройным формированием рисунка, то EUV-решения становятся не просто рентабельными, а более предпочтительными, чем любые иммерсионные решения. Далее, если использовать двойное EUV-формирование рисунка, можно добиться нулевой дефектности при низкой дозе облучения. Например, необходимо сформировать структуру с шагом элементов в 32 нм, используя двойное EUV-формирование рисунка. Для этого сначала формируется один набор топологических элементов (первый шаблон) с шагом 64 нм, затем в промежутки впечатывается второй набор топологических элементов с тем же шагом (рис. 3). В результате шаг между элементами конечного рисунка составит 32 нм, при этом дефектность будет практически нулевая, а доза излучения (на каждом из этапов) составит 30 мДж/см2. В принципе, и при однократном EUV-формировании рисунка с дозой 60 мДж/см2, и при двукратном EUV-формировании с дозой 30 мДж/см2 задействовано практически одинаковое число фотонов, но во втором случае это осуществляется за два захода в «расслабленном» режиме.



Источник: Lam Research

Рисунок 3. Двойное формирование рисунка позволяет увеличить плотность расположения элементов


Специалисты корпорации Applied Materials отмечают, что на первом и втором поколении 7-нм технологий все EUV-решения будут представлены подходом однократного формирования рисунка. При переходе к меньшим проектным нормам появятся как минимум три активных слоя металлизации, необходимых для двукратного формирования рисунка, но это не уменьшает важности однократного формирования. Например, конструкция требует минимального шага топологических элементов на самом нижнем слое металлизации, что осуществляется при помощи двукратного формирования рисунка. При этом вышележащие слои могут быть сделаны при помощи однократного формирования рисунка, а все операции могут выполняться с шагом 32 или 34 нм. Это обеспечит значительную экономию времени и средств. Подобный подход актуален для уровня проектных норм порядка 5/3 нм. Реализация части слоев при помощи многократного формирования рисунка, а остальных – ​методом однократного формирования позволяет не только удешевить процесс, но и повысить производительность оборудования.

Несмотря на то что у метода многократного EUV-формирования рисунка существуют как достоинства, так и недостатки, интерес к данному подходу значителен и обусловлен не только возможностью поэтапного формирования структур с высокой плотностью шага, но и большей управляемостью стохастических проблем. Ввиду того, что иммерсионная технология применялась довольно долгое время, полупроводниковая промышленность привыкла к методикам многократного формирования рисунка, а значительная часть конструкций ИС совместима с ними.

Однако принцип многократности формирования неразрывно связан с увеличением как издержек, так и изменчивости параметров процесса. В условиях заводов по обработке пластин требуется больше элементов контроля и управления. Любое отклонение в толщине пленки будет рассматриваться как изменение параметров процесса в целом. Кроме того, увеличение числа формируемых пленок увеличивает длительность цикла создания ИС.

Существуют и другие проблемы. Так, например, EUV-литография не решает проблемы ошибки установки кристалла в заданное положение (edge placement error, ЕРЕ). По мере масштабирования допуски на размещение элементов становятся все меньше, поэтому возрастает потребность в методиках и схемах самосовмещения. Еще одна крупная проблема – ​стохастические явления, такие как стохастические отказы, стохастическая неравномерность краев линий резиста(line-edge roughness, LER), стохастика окна процесса (формирование микромостиков, разрывов линий).

Специалисты корпорации Lam Research отмечают также малое окно использования шаблонов под однократное формирование с числовой апертурой 0,33. При получении шага менее 30 нм придется прибегать к методикам двойного формирования рисунка, и, следовательно, к разложению единого шаблона на две части. Все это также способствует удорожанию стоимости EUV-литографии.


ВАРИАНТЫ МНОГОКРАТНОГО ФОРМИРОВАНИЯ РИСУНКА

Существует несколько способов реализации многократного EUV-форми-рования рисунка, каждый из которых по-своему усложняет ситуацию. Среди них:

ν    двойное EUV-формирование рисунка, требующее двух этапов литографии и двух этапов травления;

ν    двойное EUV-формирование рисунка с самосовмещением, требующее одного этапа литографии, а также по одному этапу осаждения и травления;

ν    гибридный подход;

ν    EUV-литография, осуществляемая совместно с реализацией методики непосредственной самосборки (directed self-assembly, DSA), использующей блок-сополимеры, способные самостоятельно совмещаться и создавать рисунки.

Каждый из этих вариантов обладает своими достоинствами. Если используется EUV-формирование рисунков с помощью спейсеров, ограничивающих применение EUV-литографии, то ситуация вполне приемлема. Но если для формирования слоя требуется двойное или тройное EUV-экспонирование, процесс становится очень дорогим.

Специалисты корпорации Mentor Graphics отмечают, что есть другие точки зрения на проблему. Учитывая, что слои металлизации на данных технологических уровнях фактически представляют собой однонаправленные дорожки, для двойного формирования рисунка, скорее всего, будут использоваться самосовмещающиеся процессы с вырезными шаблонами, в отличие от LELE-шаблонов расщепления. Подход EUV SADP с одним вырезным шаблоном, безусловно, перспективен. Однако для эффективного разрешения пространственных ограничений может потребоваться более одного вырезного шаблона (скорее всего, избирательные или самосовмещающиеся вырезные шаблоны).

По мнению исследователей Lam Research, все зависит от предпочтений клиентов. Для некоторых вариантом может быть многократное формирование рисунка с самосовмещением. Это в основном касается тех разработчиков, которые освоили данный подход в рамках иммерсионного LELELE-процесса, а теперь пытаются перенести этот опыт в сферу EUV-литографии. При этом возможно формирование 2D-конструкций с использованием двух прогонов полурисунков с увеличенным шагом, формируемых один в другой (что позволяет в результате добиться более плотного шага), за счет чего существенно повышается управляемость стохастическими явлениями.

IMEC разработал гибридный подход, сходный с методикой четырехкратного EUV-формирования рисунка. В этой методике осуществляются базовые EUV-этапы, затем применяется двухспейсерный процесс, а также процесс самосовмещения с двумя этапами литографии и двумя этапами травления (self-aligned litho-etch-litho-etch, SA/LELE). По существу, это гибридное – ​между SADP/LELE и самосовмещающимися блоками – ​решение. SA/LELE-процесс дает в целом бЧльшую гибкость одновременно с потенциальными возможностями контроля. IMEC уже демонстрировал ряд процессов для формирования структур с шагом от 28 нм, теперь же начинается обкатка процесса, позволяющего добиться шага порядка 16 нм.

Еще один подход – ​сочетание EUV с DSA, его предлагает корпорация Brewer Science (г. Рола, шт. Миссури, США). Цель – в экономии средств по сравнению с методикой двойного EUV-формирования рисунка. Подход позволяет достичь существенной экономии издержек за счет оптимизации времени использования дорогостоящих инструментальных средств EUV-литографии (издержки/час) при реализации стратегий многократного формирования рисунка. Кроме того, предлагаемая методика обладает потенциалом экономии издержек на различных промежуточных шаблонах, закупаемых на основе требований к различным этапам EUV-экспонирования.


ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Итак, какое решение оказется лучшим в случае многократного формирования рисунка? Это зависит от используемых метрик (допустимый уровень LER, предельные допуски, затраты и т. п.), а также доступных резистов и источников излучения. Ряд специалистов высказывает опасения по поводу EUV-формирования рисунка – ​например, что методика двойного формирования может в процессе использования легко превращаться в методику тройного формирования и т. д. Сегодняшний уровень ошибок ЕРЕ для обрезных и защитных шаблонов (масок), связанных с формированием линий и промежутков между ними при многократном формировании рисунка, требует использования методов самосовмещения, при этом может потребоваться как минимум два обрезных или защитных шаблона.

Очевидно, что простых решений не существует. Однако, так или иначе, полупроводниковая промышленность (по крайней мере фирмы, продолжающие масштабирование ниже 10 нм) вынуждена осваивать EUV-литографию. Эта технология долгие годы развивалась в рамках НИОКР, и теперь пришло время хоть как-то использовать ее.


LaPedus Mark. Single Vs. Multi-Patterning EUV. Semiconductor Engineering, March 25, 2019: https://semiengineering.com/single-vs-multi-patterning-euv/


ЧИТАЙТЕ ТАКЖЕ

Выпуск 22(6746) от 11 ноября 2021 г. г.
Выпуск 16(6740) от 19 августа 2021 г. г.
Выпуск 13(6737) от 08 июля 2021 г. г.