ВЫБОР РЕДАКЦИИ

IMEC разрабатывает процесс интеграции 2D-материалов на 300-мм пластинах

Краткий обзор деятельности ведущих кремниевых заводов

SMIC: передовые технологии, производственная база и государственное финансирование

FanFET – новая транзисторная структура для 3D-флэш-памяти NAND-типа

Данные технологического процесса как средство повышения выхода годных

Производственная база микроэлектроники США

Маршрутная карта развития FEOL-, MEOL- и BEOL-процессов

Материалы 66-й международной конференции по электронным приборам

Маршрутная карта развития FEOL-, MEOL- и BEOL-процессов

Методика оценки экологичности производства ИС

Материалы 66-й международной конференции по электронным приборам

SIA и BCG оценили предполагаемые меры стимулирования развития микроэлектроники в США

Взгляд изнутри: Китаю желательно использовать подход «больше, чем Мур»

Возобновление доступа к материалам Solid State Technology

Возобновление доступа к материалам Solid State Technology

Выпуск 5 (6704) от 12 марта 2020 г.
РУБРИКА: МИКРОЭЛЕКТРОНИКА

По мере распространения сети Интернет печатные издания, особенно специализированные, начали испытывать все возрастающую конкуренцию. Частичный или полный переход в Интернет помог не всем – ​многие журналы исчезли, в связи с чем серьезно снизилась доступность их материалов, ряд из которых не потерял актуальности до сих пор. Вот почему представляет интерес восстановление доступа к материалам, осуществленное компанией Gold Flag Media.

Основанная в 2019 г. фирма Gold Flag Media приобрела в конце того же года интернет-домены журнала Solid State Technology – ​electroiq.com и solid-state.com, включая весь их контент. Теперь эти ресурсы доступны через издание Semiconductor Digest. Основателями Gold Flag Media являются Керри Хоффман и Пит Сингер, многолетние авторы и обозреватели Solid State Technology.

Журнал Solid State Technology, увидевший свет в 1959 г., начал размещать контент в Интернете в середине 1990-х гг. Теперь читателям доступны все выпуски, начиная с 1996 г., и почти 34 тыс. блогов, охватывающих новостные сообщения и заметки о технологических разработках с 1995-го по начало 2019 г.

Найти контент можно с помощью функции поиска на специальном архивном сайте, загрузить все выпуски в формате PDF, использовать список ключевых слов, индексы тем или перемещаться по различным тематическим блокам. Кроме материалов Solid State Technology также доступны архивы журналов Advanced Packaging, Small Times и Clean Rooms.

Кроме того, ряд тематических статей из последних нескольких выпусков Solid State Technology теперь доступны в формате html:

«Мониторинг отклонений параметров процесса на заводах, производящих автомобильные полупроводниковые приборы» (https://sst.semiconductor-digest.com/2020/02/monitoring-for-excursions-in-automotive-fabs/)

В серии статей «Обзор процессов» (Process Watch) рассматриваются основные концепции контроля технологических процессов, дефектоскопии, метрологии и анализа данных, применяемые в полупроводниковой промышленности. Указанная в ссылке статья – ​четвертая в серии, посвященной стратегиям управления технологическими процессами изготовления автомобильных полупроводниковых приборов.

«Масштабируемая технология встраиваемой энергонезависимой памяти на основе процесса SONOS» (https://sst.semiconductor-digest.com/2020/02/scalable-sonos-based-embedded-non-volatile-memory-techn)

Технология встраиваемой энергонезависимой памяти (eNVM) на основе процесса SONOS (Si-oxide-nitride-oxide-Si) хорошо подходит для изделий типа «система-на-кристалле» (SoC), в высокой степени совместимых со стандартными технологическими КМОП-процессами логических и цифро-аналоговых приборов. В статье описывается eNVM технология на основе процесса SONOS, успешно разработанная и масштабированная до 28-нм топологий.

«Система ASOPS как мультифизический измерительный прибор для НИОКР и промышленности» (https://sst.semiconductor-digest.com/2020/02/the-asops-system-as-a-multiphysics-measurement-device-f)

Анализ развития технологии асинхронной оптической выборки (ASynchronous OPtical Sampling) как перспективного стандарта измерения и вариантов ее применения в промышленности («мультифизика» – ​использование в одной модели или приложении различных физико-химических механизмов, математические выражения которых в данной модели взаимно сочетаются).

«Восстановление и повторное использование технологических газов: какие существуют варианты?» (https://sst.semiconductor-digest.com/2020/02/recovery-and-recycling-of-process-gases-what-are-the-op)

Любое рассмотрение вопросов повторного использования должно основываться на системном подходе, тщательно учитывающем все предсказуемые и потенциальные затраты, включая риски простоя, загрязнения и безопасности.

«Преодоление проблем перспективной транзисторной технологии на топологическом уровне менее 5 нм» (https://sst.semiconductor-digest.com/2020/02/overcoming-challenges-of-futuristic-transistor-technolo)

В качестве решения для преодоления проблем масштабирования существующих кремниевых FinFET-транзисторов на технологическом уровне менее 5 нм рассмотрены перспективные транзисторные структуры и материалы, такие как полевые транзисторы на углеродных нанотрубках (carbon nano-tube FET), полевые транзисторы с круговым затвором (gate-all-around FET) и сложные полупроводниковые материалы.



Источник: Semiconductor Digest

Элемент обложки журнала Solid State Technology


«Датчики в новой автомобильной эре» (https://sst.semiconductor-digest.com/)

Датчики неразрывно связаны с перспективными потребностями частично и полностью автономных транспортных средств.

«Машинное обучение требует нового мышления» (https://sst.semiconductor-digest.com/2020/02/new-thinking-required-for-machine-learning/)

Эксперты, выступавшие в 2018 г. на Симпозиуме по проблемам развития технологии СБИС (2018 Symposium on VLSI Technology), утверждали, что сообщество полупроводниковой промышленности до сих пор не прилагает достаточных усилий для обеспечения развития машинного интеллекта.

«ИС искусственного интеллекта: проблемы и возможности» (https://sst.semiconductor-digest.com/2020/02/ai-chips-challenges-and-opportunities/)

Для выхода на следующий уровень отношения производительность–потребляемая мощность требуются инновационные исследования на уровне микросхем ИИ, охватывающие вопросы точности, вычислений аналоговых параметров и параметров удельного сопротивления.

«OASIS против GDS: время перехода?» (https://sst.semiconductor-digest.com/)

Формат OASIS (open artwork system interchange standard) – ​стандарт обмена системы открытых работ – ​позволяет уменьшить размер файла и сократить время обмена данными. Он доступен уже почти 15 лет и принят всеми крупными кремниевыми заводами. Также всеми стандартными инструментальными средствами САПР поддерживается формат файлов баз данных (graphic database system, GDS), являющийся де-факто промышленным стандартом для обмена данными по ИС и их топологиям.

«Места еще много: изотопно чистые материалы для случаев, когда каждый атом имеет значение» (https://sst.semiconductor-digest.com/2020/02/theres-still-plenty-of-room-at-the-bottom-isotopically)

Когда изотопы атомов обладают существенно отличающимися свойствами, возможность создавать изотопически чистые материалы становится необходимостью.

«Перспективные типы памяти для зеттабайтной эры» (https://sst.semiconductor-digest.com/2020/02/emerging-memories-for-the-zettabyte-era/)

Масштабирование традиционных схем памяти, таких как СОЗУ, ДОЗУ и флэш-память, больше не поспевает за темпами роста объемов данных, особенно в плане потребляемой мощности и быстродействия.

«Динамическое обнаружение неисправностей: использование ИИ и Интернета вещей для революционизации производства» (https://sst.semiconductor-digest.com/2020/02/dynamic-fault-detection-utilizing-ai-and-iot-to-revolut)

Новый подход – ​динамическое обнаружение неисправностей (DFD) – ​был разработан для устранения недостатков традиционных систем FDC и экономии как производственного времени, так и времени технического обслуживания.

«Повышение выхода годных с проактивной оптимизацией на протяжении всего процесса и по всей цепочке поставок» (https://sst.semiconductor-digest.com/2020/02/perfecting-yield-with-proactive-optimization-throughout)

Проактивная оптимизация выхода годных – ​это комплексный системный подход к повышению выхода годных путем детального наблюдения и сложного моделирования, выявляющий фактические или потенциальные первопричины отклонений.

«Обзор процессов: требования к чувствительности дефектов автомобильных ИС» (https://sst.semiconductor-digest.com/2020/02/process-watch-automotive-defect-sensitivity-requirement)

Полупроводниковые приборы играют все более важную роль в автомобильной цепочке поставок, требуя от производителей ИС адаптировать свои процессы для производства микросхем, соответствующих автомобильным стандартам качества.

«Обеспечение совмещения в подходе «TSV последним» литографии для 3D-корпусирования» (https://sst.semiconductor-digest.com/2020/02/overlay-performance-of-through-silicon-via-last-lithogr)

Оценка метода литографии для совмещения TSV по встроенным мишеням с помощью встроенной в степпер самометрологии с коррекцией сдвигов, вносимых инструментальными средствами (TSV – ​технология 2,5D- и 3D-корпусирования для формирования межсоединений сквозь подложку ИС или кремниевую пластину, предполагающая этажерочное расположение кристаллов и ядер кристаллов с целью экономии занимаемого пространства, снижения потребляемой мощности и увеличения производительности и скорости внутрисхемной связи).

«Генерация топологического чертежа: повышение выхода годных при разработке технологии» (https://sst.semiconductor-digest.com/2020/02/layout-schema-generation-improving-yield-ramp-during-te)

Генерация топологического чертежа создает случайные, реалистичные, чистые (с точки соблюдения проектных норм) топологии новой методики проектирования для использования в средствах тестирования.


Singer Pete. Solid State Technology Content Now Available. Semiconductor Digest, February 14, 2020: https://www.semiconductor-digest.com/2020/02/14/solid-state-technology-content-now-available/


ЧИТАЙТЕ ТАКЖЕ

Выпуск 24/25 (6748/6749) от 23 декабря 2021 г. г.
Выпуск 24/25 (6748/6749) от 23 декабря 2021 г. г.