ВЫБОР РЕДАКЦИИ

Рост значения Git и OSLC в управлении интеллектуальной собственностью

PlayNitride и партнеры ускоряют разработку дисплеев MicroLED

По материалам 23-й конференции Международного совета по полупроводниковым приборам

К вопросам интеллектуальной собственности в области внутрикристальных межсоединений

Перспективы рынка СФ‑блоков до 2027 г.

Тайвань и американо-китайская борьба за лидерство в микроэлектронике

Новые стимулирующие меры для развития производственной базы полупроводниковой промышленности в США

КНР готовится к технологическому «разводу» с США

Шесть чувств и не только…

Современное состояние производственной базы микроэлектроники

Некоторые аспекты американо-китайской «технологической холодной войны»

Некоторые тенденции развития производственной базы микроэлектроники

Сбываются ли планы КНР по обеспечению самодостаточности в области ИС?

Новый план стимулирования НИОКР в США на 34 млрд долл.

Прогноз продаж полупроводникового оборудования

Производственная база микроэлектроники США

Ренессанс полупроводниковых технологий

Проблемы развития микроэлектроники КНР

Министерство обороны США расширяет возможности корпорации SkyWater Technology

Проблемы развития микроэлектроники КНР

ЕС выделяет 2 млрд евро на повышение квалификации занятых в микроэлектронной отрасли

В КНР начался второй этап работы «Большого фонда» развития микроэлектроники

Состояние и перспективы микроэлектроники США

Методика оценки экологичности производства ИС

Новый алгоритм оценки эффективности ускорителей искусственного интеллекта

Использование цифровых двойников в микроэлектронике

SIA и BCG оценили предполагаемые меры стимулирования развития микроэлектроники в США

Перспективные разработки в области пьезоэлектрических MEMS-датчиков

Современное состояние китайской микроэлектроники

Современное состояние китайской микроэлектроники

Выпуск 14 (6713) от 23 июля 2020 г.
РУБРИКА: БИЗНЕС

В 2020 г. завершается реализация первого этапа плана «Сделано в Китае-2025», принятого в 2015-м. Китайская микроэлектроника достигла значительных успехов: корпорация SMIC приступила к отгрузкам 14-нм интегральных схем, реализованных по технологии FinFET, и разрабатывает 7-нм процесс; YMTC вышла на рынок с 64-слойными 3D-NAND и разрабатывает 128-слойные приборы; CXMT выпустила первое семейство 19-нм ДОЗУ. Продолжается освоение перспективных полупроводниковых материалов, таких как GaN и SiC, а также новейших методов корпусирования. При этом США все активнее пытаются затормозить развитие микроэлектроники КНР, вводя санкции против китайских фирм, ограничивая их доступ к современным технологиям, оборудованию и интеллектуальной собственности.

На фоне обострения торгово-тарифного и технологического конфликта с США и поддерживающими их странами КНР продолжает прилагать усилия по развитию своей полупроводниковой промышленности. Конечная цель – предельно ослабить зависимость страны от импорта высокотехнологичной продукции, в первую очередь ИС. До сих пор налицо отставание в области информационных технологий, хотя меры, направленные на сокращение разрыва, явно успешны. До недавнего времени возможности китайских изготовителей ИС ограничивались производственными возможностями местных кремниевых заводов, не обладавших современными технологиями изготовления схем памяти. Однако в настоящий момент уже освоен 14-нм процесс на основе FinFET, а 7-нм FinFET-процесс находится в стадии НИОКР. Кроме того, разрабатывается национальная технология литографии с использованием источника излучения в предельной УФ-области спектра (EUV) – единственной на сегодня технологии, обеспечивающей формирование топологических элементов с минимальными размерами – 7/5 нм в производстве и 3 нм на стадии НИОКР.

При этом маловероятно, что в ближайшем будущем в Китае будут созданы собственные EUV-системы. Относительно скромны и успехи местных кремниевых заводов – по крайней мере пока. Ситуация выглядит так, что в обозримой перспективе китайские производители не смогут обогнать ведущих транснациональных изготовителей ИС – однако КНР активно развивает собственную микроэлектронику. Главная причина – импортное происхождение значительной части потребляемых ИС, что создает существенное отрицательное сальдо торгового баланса по данной позиции. Китай уже построил у себя значительную производственную базу микроэлектроники, но она еще недостаточно велика, чтобы преодолеть зависимость от импорта и добиться самообеспечения, поэтому власти страны инвестируют в развитие отрасли миллиарды долларов. Некоторые из достижений в этой сфере приведены в табл. 1.


ТАБЛИЦА 1

ДОСТИЖЕНИЯ КНР В ОБЛАСТИ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ

Компания или область деятельности

Последние достижения

Shanghai Manufacturing International Corp., SMIC (Шанхай, провинция Хэбэй)

Начаты отгрузки ИС, изготовленных по 14-нм FinFET-процессу. В стадии НИОКР находится 7-нм FinFET-процесс

Yangtze Memory Technology, YMTC (Ухань, провинция Хубэй)

Приступила к продажам 64-уровневых 3D-схем флэш-памяти NAND-типа. Ведутся НИОКР по 128-уровневым приборам

ChangXin Memory Technology, CXMT (Хэфей, провинция Анхой)

Запущено серийное производство первого семейства 19-нм ДОЗУ

Поставщики и заказчики полупроводниковых материалов

Расширено применение сложных полупроводников, включая GaN и SiC, и НИОКР в этой области

Поставщики аутсорсинговых услуг по сборке и тестированию полупроводниковых приборов (OSAT)

Активизированы разработки перспективных методик корпусирования и типов корпусов

 

После обострения сначала торгово-тарифных, а затем и технологических противоречий с США и их союзниками китайские власти активизировали свои усилия. В данный момент КНР и США фактически ведут многоплановую торговую вой-ну. Например, было существенно затруднено получение американских ИС и ПО для китайских фирм, в первую очередь Huawei, а недавно голландская компания ASML столкнулась с запретом продавать свои установки EUV-литографии корпорации SMIC. Белый дом пытается оправдать свои действия недобросовестными торговыми практиками КНР и недостаточной защитой американской интеллектуальной собственности. В свою очередь, Поднебесная рассматривает эти действия как попытку сдержать ее развитие, что только подталкивает страну к ускоренным шагам в указанном направлении.

Желание Китая обладать обширной и устойчивой производственной базой микроэлектроники обусловлено не только экономическими соображениями, но и соображениями национальной безопасности. Однако, несмотря на достигнутые успехи и значительные инвестиции, страна по-прежнему отстает от конкурентов. Проблемы развития китайской микроэлектроники заключаются не только в недостаточных объемах внутреннего производства, но и во все возрастающих потребностях в высококвалифицированных кадрах, разработках интеллектуальной собственности, дальнейшем сокращении разрыва с конкурентами в области перспективных технологических процессов, совершенствовании и расширении внутреннего производства технологического оборудования, развитии индустрии инструментальных средств САПР.


Стратегия КНР в области микроэлектроники

Микроэлектронная промышленность в КНР бурно развивается уже несколько десятилетий. В 1980-х гг. в стране существовало всего несколько государственных заводов-изготовителей ИС, обладавших устаревшими технологиями. Поэтому в свое время было выдвинуто несколько инициатив по модернизации производственной базы микроэлектроники. С помощью зарубежных концернов в 1980-х и 1990-х гг. Китай запустил еще несколько предприятий по производству ИС. Тем не менее отставание от стран Запада сохранялось – в частности, из-за того, что в отношении Китая был введен строгий экспортный контроль и поставщикам оборудования запрещалось поставлять туда самые современные инструментальные средства.

В 2000 г. в КНР было построено два современных кремниевых завода – Grace и SMIC. К тому времени контроль экспорта ослаб – поставщикам оборудования требовались только лицензии на поставку их инструментальных средств в эту страну. Примерно в то же время Поднебесная превратилась в крупную производственную базу электроники с низким уровнем оплаты труда и вскоре стала крупнейшим в мире рынком сбыта ИС.

Чтобы получить доступ к рынку, транснацио-нальные производители ИС с конца 2000-х гг. стали строить в Китае заводы по обработке пластин. Корпорации Intel, Samsung и SK Hynix построили заводы по производству схем памяти, а TSMC и UMC – кремниевые заводы.

По данным аналитической корпорации IC Insights (Скоттсдейл, шт. Аризона, США), в 2014 г. на китайском рынке было продано ИС на общую сумму в 77 млрд долл. Однако бóльшая их часть была импортирована. Из общего объема продаж на внутреннее производство пришлось только 15,1%. Стремясь преодолеть импортозависимость, Госсовет КНР в 2014 г. утвердил «Рекомендации по развитию национальной микроэлектронной промышленности» (). В рамках этого документа на ускорение работ в области FinFET, схем памяти и перспективных методик корпусирования было выделено более 19 млрд долл. В 2015 г. был утвержден еще один план – «Сделано в Китае-2025» (齌国薴謾-2025). Цель – увеличить содержание отечественных электронных компонентов в изделиях и системах, входящих в десять стратегических областей: авиакосмическая промышленность, железные дороги, информационные технологии, материалы, машиностроение, медицинская электроника, робототехника, судоходство, электромобили и энергетическое оборудование. В целом доля ИС местного производства в продажах на внутреннем рынке должна вырасти в 2025 г. до 70%.

Анализируя доступную статистику, IC Insights указывает, что в 2019 г. потребление ИС в КНР увеличилось до 125 млрд долл., но на внутреннее производство пришлось только 15,7% продаж (см. рисунок). Соответственно, достижение поставленной цели в 2025 г. маловероятно.



Источник: IC Insights

Объем рынка ИС и доля ИС местного производства в КНР


Китайская микроэлектроника сталкивается и с другими проблемами, в частности с нехваткой высококвалифицированных кадров. Этот дефицит обусловлен, в том числе, сооружением более чем десятка полупроводниковых заводов. Уже нанято несколько тысяч, если не десятков тысяч, опытных специалистов из Тайваня, Южной Кореи, Японии и даже США. Всем им предоставлены привлекательные компенсационные пакеты.

С другой стороны, КНР быстро – уже в начале 2020 г. – оправилась от пандемии COVID-19. В первом полугодии спрос на ИС и полупровод-никовое оборудование в Китае и других странах был высоким. Предприятия по обработке 200-мм пластин продолжают работать на полную мощность в интересах широкого спектра конечных применений. В течение всего 2019 г. такая же ситуация наблюдалась с мощностями по обработке 300-мм пластин. Помимо этого, устойчивость на протяжении всего периода пандемии демонстрирует сектор услуг корпусирования и тестирования.

Также остается устойчивым спрос на изделия микроэлектроники. Он подпитывается как импульсом, сформированным реализацией программы «Сделано в Китае-2025», так и недавним паническим наращиванием изготовителями конечных электронных систем своих товарно-материальных запасов. На фоне обострения американо-китайских противоречий были закуплены впрок значительные объемы ИС и полупроводниковых приборов. Тем не менее уровень неопределенности дальнейшего спроса в Китае растет – по мере того, как растет страх перед глобальной экономической рецессией.

Торговая война, начавшаяся в 2018 г., обостряется. В 2019 г. в список «санкционных организаций» США добавили корпорацию Huawei и ее fabless-подразделение, фирму HiSilicon. Основание – «угроза интересам национальной безопасности Америки». Отныне для ведения дел с Huawei американские компании должны получать лицензию правительства США. Многим подобным поставщикам было отказано в лицензии, что отрицательно сказалось на их финансовых результатах.

В начале 2020 г. США расширили понятие «конечный военный пользователь» в Китае – чтобы максимально усложнить получение любой американской технологии китайскими военными, – а в мае усилили попытки ограничить возможности Huawei получать ИС от зарубежных поставщиков. Зарубежные заводы по обработке пластин должны прекратить поставки ИС корпорации Huawei в следующих случаях:

поставщик для производства ИС использует американское оборудование или ПО;

производимая ИС спроектирована специалистами Huawei;

производитель ИС знает, что производимые им ИС предназначены для Huawei.

Изложенное означает, что иностранные производители ИС, использующие американское оборудование, должны перед продажей ИС Huawei получить американскую лицензию. В то же время новые требования распространяются только на ИС, фактически спроектированные фирмой HiSilicon, а не на все ИС, произведенные зарубежными компаниями, осуществляющими сделки с Huawei. Правила нечеткие и могут измениться в одночасье – однако из них, например, следует, что теперь фирма TSMC может в любой момент отказаться от выполнения новых заказов Huawei.


Кремниевые заводы и усилия в области EUV-литографии

Еще до начала торговой войны в КНР была в самом разгаре реализация плана масштабного расширения производственных мощностей. В 2017–2018 гг. в стадии сооружения и оснащения находились, по данным SEMI, 18 заводов по обработке пластин. К настоящему времени они пущены в строй, идет сооружение еще трех заводов. Два из них – это линии кремниевых заводов (одна по обработке пластин диаметром 200 мм, вторая – под 300-мм пластины), третий завод предназначен для производства схем памяти (300-мм пластины). В перспективных планах сооружение еще семи заводов по обработке пластин.

Значительная часть производственных мощностей Китая представлена кремниевыми заводами, как местными, так и зарубежными (табл. 2). Китайские кремниевые заводы, такие как ASMC, CS Micro и Huahong Group, выпускают ИС по зрелым процессам. Стартап HSMC ведет НИОКР в области 14-нм и 7-нм технологий. Вплоть до 2019 г. самым передовым процессом SMIC была 28-нм планарная технология. Впервые ее представила тайваньская корпорация TSMC еще 10 лет назад. Сегодня TSMC наращивает производство ИС по 5-нм технологии и ведет НИОКР в области 3-нм процессов.


ТАБЛИЦА 2

ПРОИЗВОДСТВЕННЫЕ МОЩНОСТИ ИНОСТРАННЫХ КРЕМНИЕВЫХ ЗАВОДОВ В КНР

Фирма

Предприятие

TSMC

Шанхай, обработка 200-мм пластин

Нанкин, производство ИС по 16-нм FinFET-процессу (300-мм пластины)

UMC

Сучжоу, обработка 200-мм пластин

Сямынь, обработка 300-мм пластин, выпуск 40-нм и 28-нм ИС

 

SMIC, самая передовая микроэлектронная корпорация КНР, в рейтинге кремниевых заводов занимает пятое место в мире, уступая TSMC, Samsung (foundry-отделение), GlobalFoundries и UMC, и активно осваивает новейшие процессы. В 2015 г. корпорация создала в Китае совместное с Huawei, Межуниверситетским центром микроэлектроники IMEC (Левен, Бельгия) и корпорацией Qualcomm предприятие по разработке 14-нм FinFET-процесса, необходимого для дальнейшего масштабирования. На уровне 20-нм топологий традиционные планарные транзисторы достигают физических пределов своих возможностей – именно это стало причиной перехода корпорации Intel на 22-нм FinFET-процессы в 2011 г. (FinFET обладают бóльшим быстродействием и меньшей потребляемой мощностью, чем планарные транзисторы, хотя при этом сложнее и дороже в производстве). Позднее GlobalFoundries, Samsung, TSMC и UMC перешли на FinFET на 16/14-нм технологическом уровне (22-нм процесс Intel примерно эквивалентен 16/14-нм процессам этих кремниевых заводов).

В 2019 г. SMIC представила первые ИС, реализованные по 14-нм FinFET-технологии. Они предназначены для средств связи и автомобильной электроники, включая младшие модели прикладных процессоров, процессоров канала прямой (безмодуляционной) передачи, ИС для потребительской электроники. Однако современные смартфоны используют 7-нм прикладные процессоры (правда, большинство других ИC в них, таких как формирователи сигналов изображения и радиосхемы, реализованы по более зрелым технологиям). Один миллиард транзисторов в 7-нм ИС стоит от 2,67 до 2,68 долл. В случае 14-нм процесса это уже 3,88 долл. Таким образом, 14-нм прикладные процессоры неконкурентоспособны по цене в сравнении с 7-нм приборами, по крайней мере для массово выпускаемых смартфонов и смартфонов старших моделей. Но они подходят для младших моделей 4G- и 5G-смартфонов, а также для инфраструктурных применений и 5G-сетей (с соответствующими процессорными и системными архитектурами).

В настоящее время при финансовой поддержке правительства КНР SMIC ведет разработку 12-нм FinFET-процесса, получившего название N+1. Это масштабированная версия 14-нм процесса. Предполагается, что в конце 2020 г. разработка будет представлена в качестве 7-нм процесса. Аналитики корпорации Gartner (Стамфорд, шт. Коннектикут, США) отмечают, что процесс SMIC N+1 эквивалентен 8-нм процессу Samsung и заметно превосходит 10-нм процесс TSMC. Однако в складывающейся ситуации SMIC может в очередной раз пропустить рыночное окно. Появление его серийных 8/7-нм ИС может состояться в тот момент (2021 г.), когда производители смартфонов начнут переходить на 5-нм прикладные процессоры.

Но это не единственная проблема. Корпорация SMIC способна производить 8/7-нм ИС на имеющемся у нее оборудовании, но современное оборудование оптической литографии не способно формировать меньшие топологии – необходимы EUV-установки. Теперь, поскольку в 2019 г. США, в соответствии с Вассенаарским соглашением, запретили компании ASML (монопольный производитель EUV-степперов) продавать свое оборудование SMIC, китайцы могут оказаться заперты на уровне 8/7-нм топологий. Впрочем, у SMIC есть несколько лет для маневра – пока 14-нм ИС занимают в продажах этого кремниевого завода чуть более 1%.

Нетрудно предположить, что в какой-то момент КНР захочет освоить топологии менее 7 нм, – поэтому сейчас страна ведет собственные НИОКР в области EUV-литографии. Подсистемы EUV-степпера разрабатываются в нескольких НИИ. Например, Шанхайский институт оптики и точной механики Китайской академии наук в 2019 г. описал разработку EUV-установки с киловаттным лазером, а в 2020 г. исследователи Института микроэлектроники Китайской академии наук опубликовали статью «Определение характеристик многослойных структур, созданных EUV-литографией, при помощи согласованного по циклам машинного обучения» (). Аналитики VLSI Research (Сан-Хосе, шт. Калифорния, США) отмечают, что разработка EUV-технологии – длительный, сложный и дорогой процесс. Сумеет ли Китай создать свой собственный вариант – сказать трудно. Кроме того, китайцы публикуют по этой тематике в основном теоретические статьи, и что делается реально – неизвестно.

Безусловно, то, что из-за технологического отставания стране приходится закупать наиболее современные ИС у иностранных поставщиков, – головная боль китайского правительства. С другой стороны, то, что значительная часть китайских фирм производит ИС по зрелым процессам, вовсе не проблема: изготовление большей части ИС для Интернета вещей и автомобильной электроники не требует применения технологических процессов с минимальными топологическими нормами.


Успехи в области схем памяти и ИС других типов

В области схем памяти, а конкретно ДОЗУ и флэш-памяти NAND-типа, КНР имеет крупное отрицательное сальдо торгового баланса. Большая часть этих схем, используемых как основная память систем (ДОЗУ) и для хранения данных (NAND-флэш) импортируется. В самом Китае эти схемы производят по большей части филиалы зарубежных корпораций Intel, Samsung и SK Hynix – как для внутреннего, так и для мирового рынков.

В целях уменьшения импортозависимости КНР развивает национальную индустрию схем памяти. В 2016 г. была создана фирма YMTC, ориентированная на производство 3D-схем флэш-памяти NAND-типа, а фирма CXMT в настоящее время наращивает выпуск первых китайских ДОЗУ. Рынки ДОЗУ и флэш-памяти отличаются высоким уровнем конкуренции – особенно рынок флэш-схем NAND-типа. 3D-NAND-флэш – преемники 2D-схем: этажированные ИС, в которых горизонтальные слои ячеек памяти объединяются тонкими вертикальными каналами. Основной характеристикой 3D-NAND является число слоев – чем их больше, тем больше плотность одноразрядных элементов в системе. При этом увеличение числа слоев приводит к обострению производственных проблем, основные из которых – накапливание напряженности в тонких пленках по мере увеличения числа слоев (что может привести к деформации пластины или сформированного рисунка), с одной стороны, и усложнение совмещения элементов – с другой.

YMTC, по видимости, преодолела некоторые из этих проблем. В 2019 г. она представила свою первую 64-слойную 3D-флэш-память NAND-типа. Налицо некоторое отставание от зарубежных конкурентов, массово выпускающих 92/96-слойные приборы и наращивающих отгрузки 112/128-слойных 3D-NAND-флэш, – однако и YMTC приступила к поставкам избранным пользователям 128-слойных опытных образцов для тестирования. Вероятно, появление на рынке YMTC с ее 3D-NAND-флэш приведет к изменениям в расстановке сил производителей – по крайней мере в КНР. Сейчас китайские производители приступили к использованию продукции YMTC в своих USB-картах и твердотельных накопителях (SSD). Если эта тенденция окрепнет, то позиции YMTC усилятся не только на китайском, но и на мировом рынке.

Правда, китайской индустрии схем памяти еще предстоит пройти долгий путь перед тем, как она сможет на равных конкурировать с ведущими мировыми поставщиками ИС ЗУ. По оценкам IC Insights, на это, а также на достижение китайской промышленностью возможности обеспечения внутреннего спроса на схемы памяти, потребуется не менее 10 лет. То же самое касается и аналоговых приборов, логических ИС, цифро-аналоговых компонентов и радиосхем.

Китай демонстрирует прогресс и в области перспективных полупроводниковых материалов – в стране появились несколько собственных поставщиков GaN и SiC. GaN используется в основном для производства мощных полупроводниковых приборов и радиочастотных ИС, а сфера применения SiC ограничена мощными полупроводниковыми приборами.

Специалисты исследовательской группы Yole Développement (Лион, Франция) отмечают, что китайский рынок открывает возможности для мировой индустрии силовой электроники, прежде всего в секторах автомобильных и потребительских систем. SiC-приборы уже начали применяться в электромобилях и гибридных электромобилях ведущих китайских производителей, таких как BYD (модель Han EV). Китайские изготовители смартфонов, такие как Xiaomi, Huawei, Oppo и Vivo, используют GaN-приборы в устройствах быстрой зарядки смартфонов.

Благодаря устойчивому спросу со стороны расположенных в Китае производителей электронных систем местные поставщики ИС безусловно хорошо позиционируются с точки зрения конкурентоспособности по затратам и качеству – важный фактор, учитывая контекст обострения американо-китайских противоречий. Это, в свою очередь, подпитывает развитие экосистемы. После появления на рынке силовой электроники материалов с широкой запрещенной зоной Китай активизировал освоение инновационных технологий и начал развивать собственную цепочку приращения стоимости. В китайскую экосистему мощных SiC-приборов вовлекаются разнообразные игроки на уровне пластин, эпитаксиальных пластин, приборов – например, такие фирмы, как Tankeblue и SICC (пластины), Epiworld и TYSiC (эпитаксиальные пластины), Sanan IC (услуги кремниевого завода). На рынке мощных GaN-приборов начиная с 2019 г. наблюдается появление конкурентоспособных поставщиков, таких как Innoscience, а также системных интеграторов в области устройств быстрой зарядки.


Индустрия корпусирования

КНР имеет большие планы в области корпусирования. Крупнейший местный поставщик аутсорсинговых услуг по сборке и тестированию полупроводниковых приборов (OSAT) – корпорация JCET, есть еще несколько фирм этого профиля. Используемые китайским OSAT технологии корпусирования мало отличаются от зарубежных аналогов и способны поддерживать работу почти со всеми типами популярных корпусов. Правда, в области гетерогенной 2,5D- и 3D-интеграции китайские OSAT пока отстают от лидеров – корпораций TSMC, Intel и Samsung, но здесь китайскими фирмами при поддержке властей реализуются обширные программы НИОКР. Отраслевые специалисты отмечают, что технологии 2,5D- и 3D-корпусирования могут стать первой областью, в которой КНР ликвидирует технологический отрыв от западных стран. Это позволит сократить, а в перспективе и закрыть зазор по другим полупроводниковым технологиям.

Сегодня при создании перспективных конструкций, как правило, разрабатываются специализированные ИС (ASIC) с масштабированием кристаллов. При этом подходе на каждом технологическом уровне осуществляется масштабирование различных функций в определенные блоки, интегрируемые в монолитный кристалл, но на каждом новом технологическом уровне со все меньшими топологиями стоимость работ возрастает многократно. Проектировщики ищут новые подходы. Один из способов разработки сложных конструкций системного уровня – сборка сложных кристаллов в перспективных модулях. Ввиду того, что действие т. н. закона Мура, предполагающего удвоение числа транзисторов на кристалле каждые 1,5–2 года без увеличения удельной стоимости функций для конечного потребителя, замедляется, единственной возможностью КНР догнать конкурентов в сфере микроэлектроники представляется гетерогенная интеграция в сочетании с перспективными методиками корпусирования [1, 2].


1. LaPedus Mark. China Speeds Up Advanced Chip Development. Semiconductor Engineering, June 22, 2020: https://semiengineering.com/china-speeds-up-advanced- chip-development/

2.  https://www.esmchina.com/news/6734.html 


ЧИТАЙТЕ ТАКЖЕ