Samsung оптимизирует производственную деятельность

Samsung оптимизирует производственную деятельность

Выпуск 12 (6711) от 25 июня 2020 г.
РУБРИКА: БИЗНЕС

В последнее время корпорация Samsung предприняла ряд мер, направленных на оптимизацию производства. Осваиваются новые инструментальные средства для 5/4-нм технологических процессов с использованием FinFET, расширяется производство 3D-флэш-памяти NAND-типа, а устаревшие мощности по производству ДОЗУ перепрофилируются на выпуск КМОП-формирователей сигналов изображения.

Корпорация Samsung (Сувон, провинция Кенгидо, Южная Корея) продолжает осваивать технологические процессы с минимальными технологиями. Для этого, в частности, она приобретает перспективные инструментальные средства. В первых числах июня 2020 г. корпорация Synopsys (Маунтин-Вью, шт. Калифорния, США) заявила, что ее средство синтеза Design Compiler NXT аттестовано Samsung Foundry (подразделение Samsung Electronics по оказанию услуг кремниевого завода) для 5/4-нм технологических FinFET-процессов. Design Compiler NXT – ​неотъемлемая часть платформы Fusion Design, последнего инновационного решения семейства Design Compiler (синтез на уровне регистровых передач). Это решение позволило Synopsys укрепить рыночные позиции своего графического компилятора (Design Compiler Graphical), который с момента презентации в марте 2019 г. освоен уже более чем сотней клиентов.

Design Compiler NXT характеризуется быстродействующими, высокоэффективными блоками оптимизации и использует новый подход к распределенному синтезу, не приводящий к ухудшению качества результатов (QoR). Клиенты, использующие Design Compiler NXT, сообщают о значительном сокращении рабочего цикла, улучшении соотношения потребляемой мощности, производительности и площади (power, performance and area, PPA) проектируемых приборов. Так, при использовании этого инструментального средства в своих 5/4-нм FinFET-процессах компания Samsung Foundry наблюдала 8–10%-ное улучшение PPA и рост пропускной способности в два раза [1].

В рамках усилий по наращиванию выпуска новой продукции корпорация Samsung Electronics объявила о планах расширения своих мощностей по производству флэш-памяти NAND-типа в Пхенчхане. Новая линия, строительство которой началось в мае 2020 г., предназначена для массового изготовления ультрасовременных вертикальных ИС этого типа (Vertical NAND, V-NAND – ​трехмерные ИС) со второй половины 2021 г.

В эпоху Четвертой промышленной революции, подпитываемой искусственным интеллектом, Интернетом вещей и сетями и средствами связи 5G, расширение производственных мощностей будет играть важную роль в обеспечении среднесрочных и долгосрочных потребностей во флэш-памяти NAND-типа. По мере того как цифровой образ жизни становится все более распространенным, Samsung будет продолжать активные инвестиции, чтобы воспользоваться будущими рыночными возможностями.

Вот уже 18 лет Samsung удерживает лидирующие позиции в области флэш-памяти NAND за счет значительных производственно-технологических преимуществ. Одна из последних инноваций корпорации – ​первая в отрасли V-NAND-ИС шестого поколения (1xx-слоев), представленная в июле 2019 г. Благодаря сбалансированным инвестициям на всех своих глобальных площадках Samsung стремится поддерживать прочную производственную сеть, которая еще больше укрепит ее лидерство на рынке [2].

Кроме того, корпорация Samsung Electronics намерена продолжать инвестиции в расширение услуг кремниевого завода (контрактное производство) по производству КМОП-формирователей сигналов изображения (CMOS image sensors, CISs). Сейчас разрабатывается детальный план перепрофилирования части линий по производству ДОЗУ в Хвасоне (провинция Кенгидо) на изготовление CISs. В 2018 г. компания уже преобразовала часть своей линии по выпуску ДОЗУ на 300-мм пластинах (DRAM Line 11) в производственную линию по изготовлению CISs (Line S4). В этот раз подобное предполагается повторить на DRAM line 13 в Хвасоне (см. рисунок).



Источник: Samsung Electronics

Производственные линии DRAM Line 11/ Line S4 и DRAM line 13 в Хвасоне (провинция Кенгидо, Южная Корея)


Перепрофилирование производственной линии с изготовления ДОЗУ на выпуск CISs не представляет особого труда – ​процессы их формирования на 80% идентичны. Некоторые установки литографии, химического осаждения из паровой фазы (ХОПФ), травления и тестирования оборудования, используемые для производства ДОЗУ, могут быть использованы для изготовления CISs.

Отраслевые эксперты говорят, что массовое производство CISs на переоборудованных линиях может начаться уже в 2020 г. после установки, тестирования и стабилизации нового оборудования. Они прогнозируют, что Samsung потратит на этот проект не менее одного триллиона вон (более 800 млн долл.), хотя он и требует меньше денег, чем инвестиции в создание новых производственных мощностей [3].


1. Samsung Foundry Certifies Synopsys Design Compiler NXT for 5/4nm FinFET Process Technologies. Semiconductor Digest, June 1, 2020:  https://www.semiconductor-digest.com/2020/06/01/samsung-foundry-certifies-synopsys-design-compiler-nxt-for-5-4nm-finfet-process-technologies/  

2. Samsung Announces New NAND Flash Facility to Address Future Data Center and Mobile Demands. Semiconductor Digest, June 1, 2020: https://www.semiconductor-digest.com/2020/06/01/samsung-announces-new-nand-flash-facility-to-address-future-data-center-and-mobile-demands/ 

3. Samsung Electronics to Expand Foundry Facilities for Image Sensors. i-Micronews. May 29, 2020: https://www.i-micronews.com/samsung-electronics-to-expand-foundry-facilities-for-image-sensors/


ЧИТАЙТЕ ТАКЖЕ